本书详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中金属杂质的扫描探针到用于无接触式电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
本书可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。

第3章 接触电阻、肖特基势垒及电迁移
3.1 简介
所有半导体器件都包括接触,所有接触都存在接触电阻,表征这些接触电阳.十分重要。一般来说,接触可能是金属-半导体接触,但也可能是半导体-半导体接触,这两种半导体材料可能是单晶、多晶或非晶材料。在欧姆接触和接触电阻概念性的讨论中,金属-半导体接触是*常见的接触,因此本章主要关注金属-半导体接触。
在关于测量技术的讨论中,接触类型不重要,重要的是接触材料的电阻。1874年由Braun发现的金属-半导体接触成为*初半导体器件的基础之一。在没有完全理解的情况下,这种器件应用了很长一段时间。在20世纪30年代,肖特基(Schottky)提出了**个可接受的理论来解释这种器件。为了表示对肖特基的敬意,金属-半导体器件经常被称为肖特基势垒器件。通常,这个名字意味着这些器件作为整流器来用时,具有明显的非线性电流-电压特性。
欧姆接触具有线性或准线性电流-电压特性,它不一定是线性的。欧姆接触必须能够提供必要的器件电流,并且与器件有源区上的电压降相比,接触上的电压降小。在很大的范围内欧姆接触不应使器件退化,并且不会注入少数载流子。除此之外,欧姆接触的制作应是可重复的。
一本以欧姆接触为主题的会议论文集**次对欧姆接触进行了深入的讨论。Rideout在金属-半导体接触理论的报告中强调了欧姆接触,Yoder,Braslauc和Piotrowska等总结了Ⅲ~V族器件的欧姆接触,Schroder和Meier讨论了太阳能电池的欧姆接触。Yu和Cohen已经总结了接触电阻。在Milnes和Feucht,Sharma和Purohit,Rhoderick的书中可以找到其他相关的信息。Cohen和Gildenblat给出了很好的讨论。
……

第1章 电阻率
1.1 简介
1.2 两探针与四探针
练习1.1
1.2.1 修正因子
练习1.2
练习1.3
练习1.4
1.2.2 任意形状样品的电阻率
1.2.3 测量电路
1.2.4 测量偏差和注意事项
1.3 晶片映像
1.3.1 二次注入
1.3.2 调制光反射
1.3.3 载流子发射(CI)
1.3.4 光密度测定法
1.4 电阻率分布
1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
练习1.5
1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
1.5 非接触方法
1.5.1 涡流
1.6 电导率类型
1.7 优点和缺点
附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
附录1.2 本征载流子浓度
习题
参考文献
第2章 载流子和掺杂浓度
2.1 简介
2.2 电容-电压测量
2.2.1 微分电容
2.2.2 带差
2.2.3 *大-*小MOS-C电容
练习2.1
2.2.4 积分电容
2.2.5 汞探针接触
2.2.6 电化学Cy剖面分析
2.3 电流-电压测量
2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
2.3.2 MOSFET阈值电压
……
第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
第5章 缺陷
第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
第7章 载流子寿命
第8章 迁移率
第9章 光学表征
第10章 物理化学特性的表征

全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。本书在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。