铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。本书是**域的**本专著，内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。

1.导言
1.1 铁电体的基本性质:体材料
1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应
2.RAM的基本性质
2.1 系统设计
2.2 实际器件
2.3 测试
3.DRAM和NV-RAM的电击穿
3.1 热击穿机制
3.2 Von Hippel方程
3.3 枝晶状击穿
3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称
4.漏电流
4.1 Schottky发射
4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正
4.3 电荷注人
4.4 空间电荷限制电流BCLC
4.5 负电阻率
5.电容-电压关系C(V)
5.1 支持薄耗尽层的方面
5.2 支持完全耗尽薄的论据
5.3 Zuleeg-Dey模型
5.4 混合模型
5.5 基于XPS的能带结构以匹配关系
5.6 离子空间电荷限制电流
……
6.开关动力学
7.电荷注入和疲劳
8.频率依赖
9.制备过程中的相序
10. CBT族Aurivillius相层状结构
11.淀积和工艺
12.非破坏性出器件
13.基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和
14.薄膜黏结
15.电子发射和平面显示器
16.光学器件
17.纳米相器件
18.缺点和不足
习题
参考文献
索引