本书融合了半导体物理和晶体管原理两部分的内容。考虑到对高职学生的教育要求,本书在编写时尽量减少理论推导,用通俗易懂的语言来阐述半导体物理的基本知识和晶体管的基本原理。全书共分10章,第1章介绍半导体物理的基本知识,第2章阐述P-N结的特性,第3到6章讲述晶体管的直流特性、交流特性、开关特性和高频大功率晶体管的设计,第7到第10章讲述MOS器件的相关内容。每章均有与教学内容相结合的适量习题。
本书可作为高职高专院校微电子技术专业的教材,又可作为微电子技术人员的参考书。

出版说明
前言
第1章 半导体特性
1.1 半导体的晶体结构
1.2 半导体的电性能
1.3 半导体中的电子状态和能带
1.4 半导体中的杂质和缺陷
1.5 载流子的运动
1.6 非平衡载流子
1.7 习题
第2章 P-N结
2.1 P-N结及其能带图
2.2 平衡P-N结
2.3 P-N结直流特性
2.4 P-N结结电容
2.5 P-N结结击穿
2.6 习题
第3章 晶体管的直流特性
3.1 概述
3.2 平面晶体管的电流放大系数及影响电流放大系数的因素
3.3 晶体管的反向电流
3.4 晶体管的击穿电压
3.5 晶体管的基极电阻
3.6 习题
第4章 晶体管的频率特性与功率特性
4.1 晶体管的频率特性
4.2 高频等效电路
4.3 高频功率增益和*高振荡频率
……
第5章 晶体管的开关特性
第6章 双极型晶体管的设计
第7章 半导体表面特性及MOS电容
第8章 MOS场效应晶体管的基本特性
第9章 MOS功率场效应晶体管
第10章 小尺寸MOS器件的特点
附录
参考文献