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超大规模集成电路设计
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超大规模集成电路设计

  • 作者:宋玉兴
  • 出版社:中国电力出版社
  • ISBN:9787508322902
  • 出版日期:2004年09月01日
  • 页数:250
  • 定价:¥24.00
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    内容提要
    本书共分八章。**章介绍集成电路的发展和意义,超大规模集成电路的优点,设计方法与设计流程。第二章比较系统的介绍了VLSI的设计基础,如MOS器件与MOS电路的设计,寄生电阻与寄生电容的估算,电路的延迟时间与大电容负载的驱动,电路的功耗与导电层的选择。第三章介绍集成电路的制造过程。第四章介绍集成电路的设计方法与设计规则,以及简单MOS电路的版图设计。第五章介绍VLSI的设计方法学。这一章首先阐述全定制电路的设计步骤与版图设计,以及深亚微米电路设计与全定制电路的阵列逻辑设计。然后阐述了ASIC的门阵列设计法,标准单元设计法。第六章介绍FPGA的原理与设计。这一章比较系统地介绍了美国ALTERA公司MAX和FIEX系列器件的结构性能和特点,以及利用MAX+PLUSⅡ开发工具设计ASIC的方法。第七章讲述超大规模集成电路的可测试性设计。第八章介绍超大规模集成电路设计的硬件描述语言VHDL。本书内容丰富、系统性强、深入浅出、通俗易懂。既有基本原理的阐述,也有设计的典型实例,便于学生的学习和教师的授课。
    目录
    第1章 绪论 1
    1.1 集成电路的发展和意义 1
    1.2 超大规模集成电路的优点 2
    1.3 VLSI设计方法 3
    1.4 设计流程 4
    1.5 Cadence系统简介 7
    第2章 MOS器件与电路设计基础 9
    2.1 MOS晶体管 9
    2.2 MOS反相器 15
    2.3 MOS开关 22
    2.4 电阻估算 24
    2.5 MOS器件的电容 27
    2.6 反相器的延迟 29
    2.7 传输延迟 34
    2.8 导电层的选用 36
    2.9 大电容负载的驱动 37
    2.10 功耗 40
    习题与思考题 41
    第3章 MOS集成电路的制造过程 43
    3.1 NMOS集成电路的制造过程 43
    3.2 CMOS集成电路的制造过程 46
    习题与思考题 52
    第4章 集成电路的设计过程 53
    4.1 MOS电路掩模层的表示方法与条形图 53
    4.2 设计规则 57
    4.3 条形图到版图的转换 66
    4.4 简单MOS电路版图布局 67
    4.5 局部版图设计应注意的若干问题 79
    习题与思考题 82
    第5章 集成电路的设计方法学 83
    5.1 全定制电路设计 83
    5.2 全定制电路的阵列逻辑设计 88
    5.3 门阵列设计方法 101
    5.4 标准单元设计法 112
    习题与思考题 117
    第6章 FPGA原理与设计 118
    6.1 概述 118
    6.2 ALTERA可编程逻辑器件 126
    6.3 MAX+plus II开发工具与FPGA的设计 147
    习题与思考题 178
    第7章 VLSI可测试性设计 179
    7.1 VLSI可测试性设计的重要意义 179
    7.2 测试基础 180
    7.3 可测试性结构设计 186
    7.4 内含自测试技术 192
    7.5 标准化测试体系结构设计方法--JTAG法 195
    7.6 标准测试存取口与边界扫描结构 199
    习题与思考题 204
    第8章 VHDL 205
    8.1 VHDL的构件 205
    8.2 数据类型、运算符与表达式 210
    8.3 并行语句与顺序语句 220
    8.4 属性 228
    8.5 子程序 232
    8.6 配置 240
    8.7 设计举例 245
    习题与思考题 250
    参考文献 251

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