本书是关于固体电子器件的教学用书。全书共分11章。第1章至第4章是关于半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带、以及过剩载流子方面的内容。第5章至第11章是关于各种电子器件和集成电路的工作原理与制造工艺方面的内容,分别介绍了:p—n结和金属.半导体结(包括异质结);场效应晶体管(JFET、MESFET、MOSFET);双极结型晶体管(BJT和HBT) ;光电子器件(太阳电池、光探测器、LED和激光器);负电导微波器件(隧道二极管、IMPATI和Gunn二极管);功率半导体器件(SCR和IGBT)等,其中第5 章和第9章用了较大篇幅对现代半导体器件和集成电路的制造工艺作了介绍。
本书的内容全面,繁简适中,基本上涵盖了所有的器件大类,反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、物理效应、以及技术成果,各章后面均附有适量的习题和参考读物,适合于微电子学专业和电子科学与技术专业高年级本科生教学使用,也可供微电子学与固体电子学专业的从业人员及科技工作者参考。

第1章 晶体性质和半导体生长
1.1 半导体材料
1.2 晶格
1.2.1 周期结构
1.2.2 立方晶格
1.2.3 晶面与晶向
1.2.4 金刚石晶格
1.3 块状晶体生长
1.3.1 原材料的制备
1.3.2 单晶的生长
1.3.3 晶片加工
1.3.4 晶体掺杂
1.4 薄层晶体的外延生长
1.4.1 外延生长的晶格匹配
1.4.2 汽相外延
1.4.3 分子束外延
习题
参考读物
第2章 原子和电子
第3章 半导体的能带和载流子
第4章 半导体中的过剩载流子
第5章 半导体p—n结和金属一半导体结
第6章 场效应晶体管
第7章 双极结型晶体管
第8章 光电子器件
第9章 半导体集成电路
第10章 负电导微波器件
第11章 功率半导体器件
附录



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