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相变存储器与应用基础
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相变存储器与应用基础

  • 作者:宋志棠
  • 出版社:科学出版社
  • ISBN:9787030386755
  • 出版日期:2013年09月01日
  • 页数:220
  • 定价:¥68.00
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    • 出版社
    • ISBN
      9787030386755
    • 作者
    • 页数
      220
    • 出版时间
      2013年09月01日
    • 定价
      ¥68.00
    • 所属分类
    文章节选
    宋志棠编著的《相变存储器与应用基础(精)》围绕PCRAM的研究现状,自主A1SbTe、TiSbTe等新型相变材料,**性原理计算及相变机理,双沟道外延二极管阵列器件及其关键技术,40nm相变存储器芯片设计以及存储芯片测试与应用等方面作详细介绍。本书可供材料、半导体器件、集成电路设计、测试等相关专业的研究生、科技人员和教学人员参考。
    编辑推荐语
    宋志棠编著的《相变存储器与应用基础(精)》围绕PCRAM的研究现状,自主A1SbTe、TiSbTe等新型相变材料,**性原理计算及相变机理,双沟道外延二极管阵列器件及其关键技术,40nm相变存储器芯片设计以及存储芯片测试与应用等方面作详细介绍。本书可供材料、半导体器件、集成电路设计、测试等相关专业的研究生、科技人员和教学人员参考。

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