本书详细阐述了微电子技术的原理,并以技术原理与系统案例为线索,全面系统地介绍了特定微电子技术的各个要点和各种应用系统的设计与实现原理。同时,还分析了特定微电子技术在推动下一代微电子技术发展过程中所占的重要地位。
本书材料丰富、内容翔实、指导性强,可作为理工科院校电子、信息及相关专业的教材,也可作为电子技术人员和工程人员的技术参考书。

译者序
原书前言
第1章 半导体材料
1.1 引言
1.2 晶体结构
1.3 能带及相关半导体参数
1.4 载流子的转移
1.5 晶体缺陷
1.6 小结
参考文献
第2章 热效应特性
2.1 引言
2.2 热效应基本原理
2.3 其他材料特性
2.4 工程数据
参考文献
第3章 半导体
3.1 引言
3.2 二极管
参考文献
第4章 MOS场效应晶体管
4.1 引言
4.2 伏安特性
4.3 重要器件参数
4.4 元器件微型化的局限性
参考文献
第5章 集成电路
5.1 引言
5.2 高速电路设计技巧
参考文献
第6章 集成电路设计
6.1 引言
6.2 IC设计过程概述
6.3 IC设计总则
6.4 小规模和中规模集成电路的设计
6.5 LSI和VLSI电路设计
6.6 MOS电路中不断增加的封装密度和不断减小的功耗
6.7 门阵列
6.8 标准单元
6.9 可编程逻辑器件
6.10 不断减小的传输延时
6.11 输出缓冲器
参考文献
第7章 数字逻辑系列
7.1 引言
7.2 晶体管.晶体管逻辑电路
7.3 CMOS逻辑电路
7.4 发射极耦合逻辑电路
7.5 可编程逻辑电路
参考文献
第8章 存储器
8.1 引言
8.2 存储器构造
8.3 存储器类型
8.4 接口存储器
8.5 检错与纠错
参考文献
第9章 微处理器
9.1 引言
9.2 体系结构的基本要素
参考文献
第10章 D/A和A/D转换器
10.1 引言
10.2 D/A和A/D转换电路
参考文献
第11章 专用集成电路
11.1 引言
11.2 全定制ASIC
11.3 半定制ASIC
参考文献
第12章 数字滤波器
12.1 引言
12.2 FIR滤波器
12.3 IIR滤波器
12.4 有限字长效应
参考文献
第13章 多片组件设计技术
13.1 引言
13.2 多片组件设计技术的定义
13.3 设计、修补和测试
13.4 MCM的应用
13.5 MCM的设计要点
参考文献
第14章 集成电路的测试
14.1 引言
14.2 缺陷类型
14.3 测试的概念
14.4 测试中的权衡
参考文献
第15章 半导体故障模式
15.1 分立半导体故障模式
15.2 集成电路故障模式
15.3 混合微电路及故障
15.4 存储IC故障模式
15.5 IC封装及故障
15.6 除铅
15.7 筛选测试及再筛选测试
15.8 静电放电效应
参考文献
第16章 基本计算机体系结构
16.1 引言
16.2 计算机体系结构的定义
16.3 单处理器系统
16.4 多处理器系统
16.5 存储器分级体系
16.6 实现过程中的注意事项
参考文献
第17章 软件设计与开发
17.1 引言
17.2 软件的概念
17.3 软件工程的实质
17.4 一种新的设计方式
17.5 Apollo板上飞行软件成果:值得学习的课题
17.6 “事先预防”式开发
17.7 “事先预防”理论
17.8 设计及开发过程
17.9 选择正确的模式并实现自动操作
参考文献
第18章 神经网络与模糊系统
18.1 神经网络与模糊系统
18.2 神经单元
18.3 前馈神经网络
18.4 神经网络的学习算法
18.5 特殊前馈网络
18.6 循环神经网络
18.7 模糊系统
18.8 设计实例
18.9 遗传规则方法
参考文献
第19章 机器视觉
19.1 引言
19.2 成像过程
19.3 分割
19.4 特征提取和匹配
19.5 三维目标识别
19.6 动态视觉
19.7 应用
参考文献
第20章 语音增强技术概述
20.1 引言
20.2 信号子空间法
20.3 短期频谱估计
20.4 多状态语音模型
20.5 二阶统计估计
20.6 结束语
参考文献
第21章 Ad Hoe网络
21.1 引言
21.2 路由算法
21.3 媒体接入协议
21.4 Ad Hoe网络的TCP
21.5 Ad Hoe网络的容量
参考文献
第22章 网络通信
22.1 网络分析与设计的一般原则
22.2 个人远程连接
22.3 局域网
22.4 互联组网
22.5 广域网
参考文献
第23章 印刷技术及系统
23.1 引言
23.2 印刷技术
23.3 非击打式印刷技术
23.4 热印刷技术
23.5 电子照相印刷技术
23.6 磁成像和离子成像技术
23.7 系统要点
参考文献
第24章 数据存储系统
24.1 引言
24.2 独立磁盘冗余阵列系统
参考文献
第25章 光学存储系统
25.1 引言
25.2 光度头
25.3 WORM技术
25.4 磁-光技术
25.5 可记录压缩盘
25.6 光学磁盘系统
参考文献
第26章 纠错技术
26.1 背景知识
26.2 引言
26.3 纠错码的发展
26.4 纠错码系列
26.5 线性块状码
26.6 卷积码
26.7 格状编码调制
26.8 应用
参考文献
缩略语

第1章 半导体材料
1.1 引言
半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。与电阻材料中的颗粒状结构不同,半导体材料具有晶体结构,其导电性能是通过半导体原子中的复杂量子力学特性来确定的,这些原子在半导体中是呈周期性排列的。对于很多元素来说,晶体结构使原子的受束缚电子和自由电子(例如,不受束缚于原子的电子)能级之间产生了一个能带,该能带直接影响着晶体中与原子相关的电子成为载流子(即自由电子)的机制。半导体的导电性能与载流子的密度成正比,自由载流子密度的变化范围很广;我们可以将本征半导体中的很小一部分原子(大约百万分之一)替换成其他不同类型的原子(即掺杂原子),这样就可以改变自由载流子的密度。多数载流子的密度与掺入的杂质密度直接相关。通过在晶体中选择性地掺入其他元素,晶体就可以实现不同的导电性能。另外,载流子密度(自由电子的密度)由掺人的施主杂质决定,而与自由电子相对应空穴的密度则由掺入的受主杂质决定(在这类半导体中空穴数是自由电子数的两倍)。因此,可以通过掺入杂质的类型来区分半导体的类型(N型半导体:自由电子密度远远大于空穴密度;P型半导体:空穴密度远远大于自由电子密度)。
如果施加合适的电场,半导体中的中间微小区域可以处于一种所有载流子(电子和空穴)都被电场驱逐的状态,而电场则由裸露的掺杂离子维持。这样,在导电状态(可变的电阻率)和非导电状态(导电性随着载流子的消失而消失)之间就可以形成一个电子开关。
……

本书讨论了微电子技术中的半导体材料、器件和工艺应用;详细介绍了IC设计过程VLSI电路。每一章中都介绍了微电子技术领域中部分相关技术的*新发展;每章中还给出了名词解释、参考文献和给读者的建议;书中所有内容的基础都是半导体器件及其基本特性。 本书可以作为微电子技术、电子技术、电路、系统、半导体、逻辑电路设计和微处理器等专业人员的参考书籍。