本教材是在第二版的基础上,广泛征求教学实施者的意见,再次修订而成的。
本书共分10章,内容包括半导体器件、放大电路分析基础、放大电路的频率特性、场效应管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、集成运算放大器的应用、波形产生与变换电路、低频功率放大电路、直流电源等。作者在编写时力求精选内容,深入浅出,图文并茂,便于阅读。另外,每章��有一定量的例题和练习题。为便于读者自学,本书配有学习指导书,欢迎选用。
本教材是编者基于40多年之教学经验,综合有关专业的大纲要求编写而成的。
本教材有较宽的专业适应面,适用于高等学校电子信息类专业本科生及大专生使用,也可用作相关专业自考教材,还可供从事电子技术方面工作的工程技术人员参考。
另外,本书已入选**级“十一五”规划教材。与本书一起入选**级“十一五”规划教材的还有《数字电子技术》一书,读者可配套使用。

**章 半导体器件
晶体管电子电路的核心器件是晶体管,而晶体管是由半导体制成的。因此,在讲具体的电子电路之前,应先讲晶体管原理,而要搞清晶体管原理,必须了解半导体的性质及其导电特性。
1.1 半导体基础知识
物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。
物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素,如铜、铁、铝等金属,其*外层电子受原子核的束缚力很小,因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此,在外电场作用下,这些电子产生定向运动(称为漂移运动),形成电流,呈现出较好的导电特性。高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶、塑料)*外层电子受原子核的束缚力很强,极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子,所以其导电性极差,可作为绝缘材料。而半导体材料*外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此,半导体的导电特性介于二者之间。
……

**章 半导体器件
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体
1.1.2 杂质半导体
1.2 PN结
1.2.1 异型半导体接触现象
1.2.2 PN结的单向导电特性
1.2.3 PN结的击穿
1.2.4 PN结的电容效应
1.2.5 半导体二极管
1.2.6 稳压二极管
1.2.7 二极管的应用
1.2.8 其它二极管
1.3 半导体三极管
1.3.1 三极管的结构及类型
1.3.2 三极管的三种连接方式
1.3.3 三极管的放大作用
1.3.4 三极管的特性曲线
1.3.5 三极管的主要参数
1.3.6 温度对三极管参数的影响
思考题和习题
第二章 放大电路分析基础
2.1 放大电路工作原理
2.1.1 放大电路的组成原理
2.1.2 直流通路和交流通路
2.2 放大电路的直流工作状态
2.2.1 解析法确定静态工作点
2.2.2 图解法确定静态工作点
2.2.3 电路参数对静态工作点的影响
2.3 放大电路的动态分析
2.3.1 图解法分析动态特性
2.3.2 放大电路的非线性失真
2.3.3 微变等效电路法
2.3.4 三种基本组态放大电路的分析
2.4 静态工作点的稳定及其偏置电路
2.5 多级放大电路
2.5.1 多级放大电路的耦合方式
2.5.2 多级放大电路的指标计算
思考题和习题
第三章 放大电路的频率特性
3.1 频率特性的一般概念
3.1.1 频率特性的概念
3.1.2 线性失真
3.2 三极管的频率参数
3.2.1 共发射极电流放大系数口的截止频率fa
3.2.2 特征频率fb
3.2.3 共基极电流放大系数a的截止频率fa
3.2.4 三极管混合参数X型等效电路
*3.3 共e极放大电路的频率特性
3.3.1 中频放大倍数Ausm
3.3.2 低频放大倍数Ausl及波特图
3.3.3 高频电压放大倍数Aush及波特图
3.3.4 完整的频率特性曲线(波特图)
3.3.5 其它电容对频率特性的影响
3.4 多级放大电路的频率特性
3.4.1 多级放大电路的通频带fbw
3.4.2 上、下限频率的计算
思考题和习题
第四章 场效应管放大电路
4.1 结型场效应管
4.1.1 结构
4.1.2 工作原理
4.1.3 特性曲线
4.2 绝缘栅场效应管
4.2.1 N沟道增强型MOS场效应管
4.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管
4.3 场效应管的主要参数
4.3.1 直流参数
4.3.2 交流参数
4.3.3 极限参数
……
第五章 负反馈放大电路
第六章 集成运算放大器
第七章 集成运算放大器的应用
第八章 波形产生与交换电路
第九章 低频功率放大电路
第十章 直流电源
参考文献