以硅为基础的微电子技术在信息技术中仍占据着重要的地位，但是III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料因具有高的载流子迁移率和大的禁带宽度而在发光器件、高速器件、高温器件、高频器件、大功率器件等方面得到越来越广泛的应用。可以预见，光电集成或光子器件所用的材料将大量采用III-V族化合物和IV-V族化合物半导体材料。然而目前除了IV族的si材料外，其他半导体材料的数据资料比较零乱，缺少一本把这些材料的特性参数汇集到一起的专著。
本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。
本书可以在作为相关领域材料和器件工程师的参考资料，也可以作为从事半导体材料、半导体器件与物理、半导体材料生长等相关领域教学和研究工作的教师和学生参考。

译者前言
丛书前言
原书前言
致谢与献辞
1 结构特性
1.1 电离度
1.1.1 定义
1.1.2 电离度值
1.2 元素同位素丰度和分子量
1.2.1 元素同位素丰度
1.2.2 分子量
1.3 晶体结构和空间群
1.3.1 晶体结构
1.3.2 空间群
1.4 晶格常数和相关参数
1.4.1 晶格常数
1.4.2 分子和晶体密度
1.5 结构相变
1.6 解理
1.6.1 解理面
1.6.2 界面能
参考文献
2 热学性能
2.1 熔点及其相关参数
2.1.1 相图
2.1.2 熔点
2.2 比热
2.3 德拜温度
2.4 热膨胀系数
2.5 热导率和热扩散率
2.5.1 热导率
2.5.2 热扩散率
参考文献
3 弹性性能
3.1 弹性常数
3.1.1 概述
3.1.2 室温值
3.1.3 外部微扰影响
3.2 三阶弹性常数
3.3 杨氏模量、泊松比及相关性质
3.3.1 杨氏模量和泊松比：立方点阵
3.3.2 体模量、切变模量及相关性质：立方点阵
3.3.3 杨氏模量和泊松比：六方点阵
3.3.4 体模量、剪切模量及相关性质：六方点阵
3.4 显微硬度
3.5 声速
参考文献
4 晶格动力学性质
4.1 声子色散关系
4.1.1 布里渊区
4.1.2 声子散射曲线
4.1.3 声子态密度
4.2 声子频率
4.2.1 室温下的值
4.2.2 外部微扰效应
4.3 Grtineisen参数
4.4 声子畸变势
4.4.1 立方晶格
4.4.2 六方晶格
参考文献
5 集体效应和响应特性
5.1 压电常数和机电系数
5.1.1 压电常数
5.1.2 机电耦合系数
5.2 FrOhlich耦合系数
参考文献
6 能带结构：禁带宽度
7 能带结构：有效质量
8 形变势
9 电子亲和势和肖特基势垒高度
10 光学特征
11 光弹、电光和非线性光学性能
12 载流子的输运特性
参考文献

本书有两个目的
讨论IV族、III-V族和ll-V1族半导体材料关键的特性
从固体物理的观点使得这些特性系统化
本书大部分内容主要用于描述这些半导体材料晶格的结构、热学、机械、品格动力学、电子能带结构、光学和载流子输运等特性。另外，本书也讨论了某些集体行为产生的效应如压电效应、光弹��应和电光效应。
本书包含了大量可方便使用的表格，这些表格整合了各种半导体材料的特性以及各种半导体材料重要特性的定义。本书也包含了大量的图片以便数据更加量化，更加清楚明了。
本书目标读者不仅仅是半导体器件工程师，也包括物理学家和物理化学家，特别是在半导体材料的合成、晶体生长、半导体器件物理和技术等相关领域学习的学生。