本书是教材《模拟电子技术基础(第四版)》(清华大学电子学教研组编写,童诗白、华成英主编)的配套习题全程辅导用书。全书按教材内容,针对各章节全部习题给出详细解答,思路清晰、逻辑性强,循序渐进地帮助读者分析并解决问题。
本书共11章,具体内容包括:常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大器的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号转换、功率放大电路、直流电源、模拟电子电路读图。每章内容都包括:**内容提要、教材同步习题全解、自测题、习题、典型提高题。
本书可作为在校大学生和自考生学习“模拟电子技术基础”课程的教学辅导材料和复习参考用书及工科考研强化复习的指导书,也可作为教师的教学参考书。

前言
**章 常用半导体器件
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第二章 基本放大电路
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第三章 多级放大电路
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第四章 集成运算放大电路
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第五章 放大器的频率响应
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第六章 放大电路中的反馈
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第七章 信号的运算和处理
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第八章 波形的发生和信号转换
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第九章 功率放大电路
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第十章 直流电源
**内容提要
典型例题与解题技巧
历年考研真题评析
教材同步习题全解
自测题
习题
第十一章 模拟电子电路读图
**内容提要
教材同步习题全解
习题

**章 常用半导体器件
**内容提要
1.1 半导体基础知识
本征半导体
本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体。
载流子:电子带负电,空穴带正电,在外电场作用下自由电子移动,相邻的价电子填补空穴而形成空穴移动,它们都能导电。
本征激发产生的自由电子和空穴成对出现,数量取决于环境温度高低。
杂质半导体——P型半导体和N型半导体
(1)P型半导体:在纯净半导体中掺入适量三价元素,形成空穴型(P型)半导体。它的导电能力大大高于本征半导体。其中空穴为多数载流子(简称“多子”),自由电子为少数载流子(简称“少子”)。
(2)N型半导体:在纯净半导体中掺入适量五价元素,形成自由电子型(N型)半导体。其中自由电子为“多子”,空穴为“少子”。
在两种杂质半导体中,整体上电量平衡,对外不显电性(不带静电)。
PN结
又称耗尽层,阻挡层,将两种杂质半导体结合在一起,由于界面两侧载流子浓度不同而产生载流子扩散运动。P型区空穴向N型区扩散,N型区自由电子向P型区扩散。在边界两侧两种载流子产生复合,形成带正电和负电的离子。在边界两侧形成空间电荷区,称为PN结。
(1)区内正、负离子带电而不能移动,载流子因复合而数量很少,因此电阻率很高。
(2)正、负离子形成的内电场阻止多子继续扩散。
(3)内电场对少子有吸引作用,形成少子的逆向运动,称为漂移。
(4)在没有外电场作用时,当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,两侧间没有电流,空间电荷区厚度不变。
(5)PN结正向导通,反向截止,即为单向导电性。
……

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