《光电子器件(第2版)》着重讲授光电子探测与成像器件的基础理论和基本知识。主要内容有：半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。

第1章光电导探测器
1.1光电子器件的基本特性
1.1.1 光谱响应率和响应率
1.1.2*小可探测辐射功率和探测率
1.1.3光吸收系数
1.2光电导探测器原理
1.2.1光电导效应
1.2.2光电导电流
1.2.3光电导增益
1.2.4光电导灵敏度
1.2.5光电导惰性和响应时间
1.2.5光电导的光谱响应特性
1.2.7 电压响应率
1.2.8探测率D1
1.3光敏电阻
1.3.1 光敏电阻的结构
1.3.2光敏电阻的特性
第2章结型光电探测器
2.1光生伏**应
2.1.1 PN结
2.1.2 PN结电压电流公式
2.1.3 PN结光生伏**应
2.1.4光照平行结的定态情况
2.1.5光照垂直于PN结的定态情况
2.1.5光照垂直于NP结的定态情况
2.2光电池
2.2.1 光电池的结构
2.2.2 光电池的电流与电压
2.2.3光电池的主要特性
2.3光电二极管
2.3.1 PN结型光电二极管
2.3.2 PIN型光电二极管
2.3.3 雪崩型光电二极管（APD）
2.4光电三极管
2.4.1光电三极管结构和工作原理
2.4.2光电三极管的主要性能参数
第3章光电阴极与光电倍增管
3.1光电发射过程
3.1.1外光电效应
3.1.2金属的光谱响应
3.1.3半导体光电发射过程
3.1.4实用光电阴极
3.2负电子亲和势光电阴极
3.2.1 负电子亲和势光电阴极的原理
3.2.2 NEA光电阴极中的电子传输过程
3.2.3 NEA阴极的量子产额
3.2.4 负电子亲和势阴极的工艺及结构
3.3真空光电管
3.3.1 真空光电管工作原理
3.3.2真空光电管的主要特性
3.4光电倍增管
3.4.1 光电倍增管结构和工作原理
3.4.2光电倍增管主要特性和参数
3.4.3 光电倍增管的供电电路
第4章微光像增强器
4.1像管的基本原理和结构
4.1.1 光电阴极
4.1.2 电子光学系统
4.1.3荧光屏
4.1.4光学纤维面板
4.2像管主要特性分析
4.2.1像管的光谱响应特性
4.2.2像管的增益特性
4.2.3像管的光传递特性
4.2.4像管的背景特性
4.2.5像管的传像特性
4.2.5像管的时间响应特性
4.2.7空间分辨特性
4.3红外变像管
4.3.1玻璃管型的红外变像管
4.3.2金属型红外变像管
4.4**代微光像增强器
4.5微通道板
4.5.1通道电子倍增器
4.5.2微通道板的增益特性
4.5.3电流传递特性
4.5.4微通道板的噪声
4.5.5微通道板的噪声因子
4.5第二代微光像增强器
4.5.1 近贴式MCP像增强器
4.5.2静电聚焦式MCP像增强器
4.5.3 第二代微光像增强器的优点
4.5.4第二代微光像增强器的缺点
4.7第三代微光像增强器
4.8第四代微光像增强器
第5章摄像管
第6章CCD和CMos成像器件
第7章致冷型红外成像器件
第8章微测辐射热计红外成像器件
第9章热释电探测器和成像器件
第10章紫外探测与成像器件
第11章x射线探测与成像器件
参考文献