本书比较系统地介绍了Si分子束外延和Si1-xGex/Si低维量子体系研究工作的发展和一些新进展，并根据当前国际上的发展趋势，围绕复旦大学应用表面物理****实验室过去十多年来所取得的各项研究成果，对Si分子束外延和Si1-xGex/Si低维量子体系的材料生长、表征、物理特性研究和器件应用等方面作了比较完整的介绍。
本书第1章介绍了Si1-xGex/Si体系的基本物理特性，第2章介绍了Si分子束外延设备、实时监测分析技术及各种类型的Si1-xGex/Si材料的外延生长技术，第3章介绍了Si1-xGex/Si异质材料的表征，第4、5章分别论述和介绍了Si1-xGex/Si异质结、超晶格和量子阱的电学和光学特性，同时也介绍了*新发展的Si基Ge量子点研究，第6章介绍了量子点的生长及其光学和电学特性，第7章介绍了Si1-xGex/Si异质结材料在器件方面的应用。
本书可作为半导体物理、材料测试及器件制备等相关领域的研究人员及研究生的参考书。特别对于希望从事Si1-xGex/Si材料、物理和器件研究的科学工作者，本书可作为一本入门的参考资料。

《科学前沿丛书》序
本书序
前言
第1章 Si1-xGex/Si合金应变层及超晶格的基本性质
1.1 Si1-xGex合金应变层内的应力
1.2 Si1-xGex/Si异质材料的共度生长临界厚度
1.3 Si1-xGex/Si应变层超晶格的应变特性
1.4 Si1-xGex/Si异质结构的能带排列
1.5 Si1-xGex/Si量子阱和超晶格的电子态
第2章 Si分了束外延生长技术
2.1 Si分子束外延设备简介
2.2 原位分析与监控
2.3 分子束外延中衬底材料的表面处理技术
2.4 Si、Ge材料的外延���长
第3章 Si1-xGex/Si超晶格、量子阱的结构表征
3.1 X射线散射和衍射
3.2 透射电子显微观察
3.3 卢瑟福背散射谱
3.4 俄歇电子能谱和二次离子质谱深度剖析
第4章 Si1-xGex/Si低维结构材料的电学性质
4.1 Si1-xGex/Si量子阱结构的C-V特性
4.2 量子井结构的导纳谱研究
4.3 用异纳谱研究Si1-xGex/Si量子阱中的量子限制效应
4.4 用DLTS研究Si分子束外延层的界面缺陷
第5章 Si1-xGex/Si异质结构和超晶格的光学特性
5.1 Si1-xGex/Si超晶格的光散射特性
5.2 Si1-xGex/Si量子阱的发光特性
5.3 Si1-xGex/Si异质结构的吸收、调制反射和非线性光谱
第6章 Si基Ge量子点材料
6.1 Si基Ge量子点材料的生长、表征及其发光特性
6.2 Si基Ge量子点的能级结构和库仑荷电效应
6.3 Si基Ge量子点的空穴俘获过程的研究
第7章 Si1-xGex/Si分子束外延材料的器件应用
7.1 Si1-xGex/Si基区HBT
7.2 Si1-xGex/Si埋沟MOS场效管
7.3 P+-Si1-xGex/Si异质结内光电发射型红外探测器
7.4 Si1-xGex/Si多量子阱型探测器
7.5 Si1-xGex/Si光电集成电路
索引