本书内容分三部分。**部分（前三章）介绍低温多晶硅的结构、基本特性和可靠度；第二部分（第4章至第7章）介绍低温多晶硅技术的开发与现况；第三部分（第7章至第12章介绍下一代显示技术的开发等。

第1章绪论——低温多晶硅的时代
1.1概述
1.2平面显示器的分类
1.3低温多晶硅开发历史
1.4低温多晶硅的优势
1.4.1高清晰度与高开口率
1.4.2电磁干扰
1.4.3周边驱动IC
1.4.4低功率消耗
1.4.5窄框化与高集成度
第2章低温多晶硅特性与结构
2.1概述
2.2LTPS薄膜晶体管的特性
2.2.1特性曲线
2.2.2等效载流子迁移率
2.2.3阈值电压
2.2.4亚阈值摆幅
2.2.5漏电流
2.3低温多晶硅像素的结构
2.3.1八次光刻的倒栅工艺流程
2.3.2九次光刻的顶栅工艺流程
2.3.3五次光刻的顶栅工艺流程
2.3.4内建电路架构
第3章低温多晶硅的可靠性
3.1概述
3.2 LTPS器件可靠性
3.2.1热载流子效应
3.2.2动态可靠性测试
3.2.3短沟道效应
3.2.4窄沟道效应
3.2.5驼峰效应
3.2.6扭曲效应
3.2.7自发热效应
3.2.8低频噪声特性
3.2.9辐射效应
3.3LTPS阵列可靠性
3.3.1静电泄放伤害
3.3.2环境与工艺过程中的ESD防护
3.3.3阵列与内建电路的防护
3.4阵列测试
3.4.1接触式测试
3.4.2非接触式测试
3.4.3阵列修补
第4章LTPS氧化层技术
4.1概述
4.2玻璃基板
4.2.1玻璃种类
4.2.2玻璃特性
4.3缓冲层
4.4栅绝缘层
4.4.1氧化硅层
4.4.2氮化硅层
4.4.3其他栅氧化层
4.4.4表面粗糙度
4.4.5清洗技术
4.5层间绝缘层
4.5.1上部透明导电电极结构
4.5.2平坦化工艺
4.5.3氢化工艺
第5章LTPS多晶硅成膜技术
5.1概述
5.2直接淀积型多晶硅
5.2.1触媒式化学气相淀积
5.2.2硅溅射工艺
5.3再结晶型多晶硅
5.3.1固相晶化
5.3.2金属诱导横向晶化法
5.3.3准分子激光晶化
5.4激光晶化系统
5.4.1准分子激光源
5.4.2光学与基板承载系统
5.5多晶硅成膜机制
5.5.1部分熔融区
5.5.2接近完全熔融区
5.5.3完全熔融区
5.6晶化质量的提升
5.6.1重叠照射
5.6.2非晶硅厚度
5.6.3抗反射层
5.6.4晶化气氛与温度
5.6.5分析工具
5.7下一代多晶硅技术
5.7.1循序性横向晶化
5.7.2固态激光晶化
5.7.3连续波激光横向晶化
5.7.4选择性扩大激光晶化
5.7.5连续硅晶界
第6章LTPS离子注人技术
6.1概述
6.2显示器用注入系统
6.2.1质量分析式离子注入
6.2.2离子云式注入机
6.2.3等离子体注入与固态扩散式
6.3漏极与源**掺杂
6.3.1氢含量的影响
6.3.2反型注入
6.3.3交叉污染
6.3.4光刻胶碳化效应
6.4轻掺杂漏极
6.4.1高能量注入
6.4.2低电流注入
6.5沟道掺杂
6.6离子激活工艺
6.6.1激光激活法
6.6.2快速热退火激活法
6.6.3高温热炉管激活法与自激活法
第7章低温多晶硅面板开发现况
7.1概述
7.2日本低温多晶硅的开发
7.2.1东芝(TOSHIBA)
7.2.2松下(MATSUSHITA)
7.2.3三洋(SANYO)
7.2.4索尼(SONY)
7.2.5夏普(SHARP)
7.2.6精工爱普生(SEIKO—EPSON)
7.2.7富士通(FU儿TSU)
7.2.8 日立(HITACHI)
7.2.9 日本电器(NEC)
7.2.10三菱(MITSUBISHI)
7.3韩国低温多晶硅的开发
7.3.1 LG—Philips
7.3.2 SAMSIJNG
7.4台湾低温多晶硅的开发
第8章低功耗显示技术
8.1概述
8.2功率消耗
8.3薄膜二极管显示器
8.3.1 MIM二极管的原理与结构
8.3.2 TFD二极管的原理与结构
8.3.3二极管面板的驱动方式
8.4反射式液晶显示器
8.4.1反射板设计
8.4.2外部补偿设计
8.4.3其他反���式显示面板
8.5 半透式液晶显示器
8.5.1比例设计
8.5.2彩色滤光片设计
8.5.3背光与组装模组
8.6省电设计
8.6.1嵌入式SRAM
8.6.2嵌入式DRAM
第9章大面积低温多晶硅的挑战
9.1概述
9.2大面积玻璃基板
9.2.1电阻一电容时间延迟
9.2.2无接缝技术
9.3前段阵列工艺
9.3.1低阻值引线技术
9.3.2微细加工工艺
9.3.3刻蚀工艺
9.4后段液晶模组
9.4.1液晶滴注法
9.4.2集成式黑色矩阵
9.4.3集成间隔体
9.4.4集成彩色滤光片
9.4.5背光模组
9.4.6广视角
9.5画面驱动系统
9.5.1过激励驱动
9.5.2背光源驱动
9.6大面积有源矩阵平面影像感测器
9.6.1数字x射线摄像技术
9.6.2间接式检测
9.6.3直接式检测
9.6.4信号存储与读取电路
第10章有源有机电致发光显示技术
10.1概述
10.2 AMOEL的历史
10.3 AMOEL驱动方式
10.3.1无源OEL
10.3.2低温多晶硅AMOEL
10.3.3非晶硅AMOEL
10.3.4单晶硅AMOEL
10.4 AMOEL彩色化与制造流程
10.4.1热蒸镀法
10.4.2旋转涂布法
10.4.3喷墨印刷法
10.4.4彩色滤光片
10.4.5色转换法
10.5阴阳电极特性
10.5.1阳极材料
10.5.2表面处理
10.5.3底层表面形态
10.6 OEL面板可靠性
10.6.1封装技术
10.6.2干燥材料
10.7有机发光二极管驱动设计
10.7.1下部发光型像素
10.7.2上部发光型像素
10.7.3模拟驱动设计
10.7.4数字驱动设计
第11章可弯曲低温多晶硅显示技术
11.1概述
11.2玻璃基板的限制
11.2.1塑胶基板特性
11.2.2基板形变
11.2.3可弯曲的显示媒介
11.3可弯曲有源器件
11.3.1薄膜二极管
11.3.2非晶硅晶体管
11.3.3有机薄膜晶体管
11.4可弯曲的低温多晶硅
11.4.1低温缓冲层
11.4.2多晶硅形成
11.4.3低温氧化层
11.4.4离子注入与激活
11.4.5低温透明导电电极
11.5塑胶基板转贴技术
11.5.1 SUFTLA转贴技术
11.5.2基板刻蚀与塑胶贴合技术
11.5.3流动式自行组装
第12章低温多晶硅的未来
12.1低温多晶硅技术蓝图
12.2低温多晶硅的挑战
12.3结语
附录 半导体设备暨材料协会(SEMI)标准