(2)离子镀膜条件
作为离子镀膜技术必须具备三个条件:一是应有一个放电空间,使工作气体部分电离产生等离子体;二是要将镀材原子和反应气体原子输送到放电空间;三是要在基片上施加负电位,以形成对离子加速的电场。
在离子镀中,基片为阴极,蒸发源为阳极。通常极间为1~5kV的负高压,电离作用产生的镀材离子和气体离子在电场中获得较高的能量,它们会在电场加速下轰击基片和镀层表面,这种轰击过程会自始至终进行。因此,在基片上同时存在两种过程:正离子(Ar+或被电离的蒸发粒子)对基片的轰击过程;膜材原子的沉积作用过程。显然,只有沉积作用大于溅射作用时,基片上才能成膜。
(3)离子镀的特点
与蒸发镀膜,溅射镀膜相比,离子镀膜有如下特点:
①膜层附着性能好。辉光放电产生的大量高能粒子对基片表面的阴极溅射,能清除基片表面吸附的气体和污染物,使基片表面净化,这是获得良好附着力的重要原因之一。在离子镀膜过程中,溅射与沉积并存。在镀膜初期可在膜基界面形成混合层,即“扩散层”,可有效改善膜层附着性能。
②膜层密度高。在离子镀膜过程中,膜材离子和中性原子带有较高能量到达基片,在其上扩散、迁移。膜材原子在空间飞行过程中形成蒸气团,到达基片时也被粒子轰击碎化,形成细小核心,长成细密的等轴晶体。在此过程中,高能Ar+对改善膜层结构,提高膜密度起着重要作用。
③绕镀性能好。在离子镀过程中,部分膜材原子被离子化成正离子后,将沿着电场电力线方向运动。凡是电力线分布处,膜材离子都可到达。离子镀中工件各表面都处于电场中,膜材离子都可到达。另外,由于离子镀膜是在较高压强下进行,气体分子平均自由程比源一基距小,以至膜材蒸气的离子或原子在到达基片的过程中与Ar+产生多次碰撞,产生非定向散射效应,使膜材粒子散射在整个工件周围。所以,离子镀膜技术具有良好的绕镀性能。
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