本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。 本书具有较好的指导性和借鉴性，可作为功率电子和光电子器件领域研究人员和工程人员的参考用书。

目录 序 原书前言 原书致谢 第1章氮化镓材料的性能及应用 11历史背景 12氮化物的基本性质 121微观结构及相关问题 122光学性质 123电学性质 124AlGaN/GaN异质结构中的二维电子气（2DEG） 13GaN基材料的应用 131光电子器件 132功率电子器件和高频电子器件 14总结 致谢 参考文献 第2章GaN基材料：衬底、金属有机物气相外延和量子阱 21引言 22块体GaN生长 221氢化物气相外延（HVPE） 222钠助溶剂生长法 223氨热生长 23金属有机物气相外延生长 231氮化物MOVPE基础知识 232异质衬底上外延 233通过ELOG、FACELO等方法减少缺陷 234原位ELOG沉积SiN 235氮化物掺杂 236其他二元和三元氮化物生长 24InGaN量子阱的生长及分解 241InGaN量子阱在极化、非极化以及半极化GaN衬底 上的生长 242铟含量分布波动的原因 243InGaN量子阱的均质化 244量子阱的分解 25总结 致谢 参考文献 第3章毫米波用GaN基HEMT 31引言 32GaN毫米波器件的主要应用 321高功率应用 322宽带放大器 3235G 33用于毫米波的GaN材料应用设计 331与其他射频器件的材料性能对比 332射频器件中的特殊材料 34毫米波GaN器件的设计与制造 341各种GaN器件关键工艺步骤 342先进的毫米波GaN晶体管 35MMIC功率放大器概述 351基于ⅢN器件的MMIC技术 352从Ka波段到D波段频率的MMIC示例 36总结 参考文献 第4章常关型GaN HEMT技术 41引言 411AlGaN/GaN HEMT阈值电压 42GaN HEMT“共源共栅”结构 43“真正的”常关型HEMT技术 431凹栅HEMT 432氟技术HEMT 433凹栅混合MIS HEMT 434p型GaN栅HEMT 44其他方法 45总结 致谢 参考文献 第5章垂直型GaN功率器件 51引言 52用于功率转换的垂直型GaN器件 53垂直型GaN晶体管 531电流孔径垂直电子晶体管（CAVET） 532垂直型GaN MOSFET 54GaN高压二极管 55GaN pn二极管雪崩电致发光 56GaN的碰撞电离系数 57总结 致谢 参考文献 第6章GaN电子器件可靠性 61引言 611GaN HEMT的可靠性测试和失效分析 62射频应用中GaN HEMT的可靠性 621AlGaN/GaN HEMT 622InAlN/GaN HEMT 623射频GaN HEMT中的热问题 63GaN功率开关器件的可靠性和鲁棒性 631掺碳GaN缓冲层中的寄生效应 632p型GaN开关HEMT中的栅极退化 633GaN MIS HEMT中阈值电压不稳定性 64总结 致谢 参考文献 第7章发光二极管 71引言 72*先进的GaN发光二极管 721蓝光二极管 722绿光二极管 73GaN白光LED：制备方法和特性 731单片发光二极管 732磷光体覆盖的发光二极管 74AlGaN深紫外LED 741生长高质量AlN和提高内量子效率（IQE） 742基于AlGaN的UVC LED 743提高光提取效率（LEE） 75总结 致谢 参考文献 第8章分子束外延生长激光二极管 81引言 82等离子体辅助分子束外延（PAMBE）ⅢN族材料的生长 原理 821N通量在**InGaN量子阱材料中的作用 83宽InGaN量子阱——超越量子约束的斯塔克效应 84AmmonoGaN衬底制备的长寿命激光二极管 85隧道结激光二极管 851垂直互连的激光二极管堆 852分布式反馈激光二极管 86总结 致谢 参考文献 第9章边缘发射激光二极管和超辐射发光二极管 91激光二极管的历史与发展 911光电子学背景 912GaN技术突破 913氮化物激光二极管的发展 92分布式反馈激光二极管 93超辐射发光二极管 931超辐射发光二极管的发展历史 932基本SLD特性 933SLD优化面临的挑战 94半导体光放大器 95总结 参考文献 第10章绿光和蓝光垂直腔面发射激光器 101引言 1011GaN VCSEL的特性和应用 1012GaN VCSEL的简史和现状 1013不同DBR结构GaN VCSEL 102不同器件结构的散热效率 1021器件热分布模拟 1022热阻Rth对谐振腔长度的依赖性 103基于InGaN量子点的绿光VCSEL 1031量子点相对于量子阱的优势 1032InGaN量子点的生长及其光学特性 1033VCSEL的制备过程 1034绿光量子点VCSEL特性 104基于蓝光InGaN量子阱局域态和腔增强发光效应的 绿光VCSEL 1041谐振腔效应 1042谐振腔增强的绿光VCSEL的特性 105基于量子阱内嵌量子点有源区结构的双波长激射 1051量子阱内嵌量子点（QDinQW）结构特性 1052VCSEL激射特性 106具有不同横向光限制的蓝光VCSEL 1061折射率限制结构的设计 1062LOC结构VCSEL的发光特性 107总结 参考文献 第11章新型电子和光电应用的2D材料与氮化物集成 111引言 112用氮化物半导体制造2D材料异质结构 1121转移在其他衬底上生长的2D材料 11222D材料在Ⅲ族氮化物上的直接生长 1123氮化物半导体薄膜的2D材料生长 113基于2D材料/GaN异质结的电子器件 113