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模拟电子技术基础
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模拟电子技术基础

  • 作者:胡宴如 耿苏燕
  • 出版社:高等教育出版社
  • ISBN:9787040145496
  • 出版日期:2005年03月01日
  • 页数:364
  • 定价:¥26.90
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    内容提要
    《模拟电子技术基础》是教育科学“十五”**级规划课题研究成果,为满足高等学校应用型人才培养需要而编写。《模拟电子技术基础》由半导体二极管及其电路分析、半导体三极管及其电路分析、放大电路基础。负反馈放大电路、放大电路的频率响应、模拟集成放大器的线性应用、集成模拟乘法器及其应用、信号发生电路、直流稳压电源等九章和若干附录组成。《模拟电子技术基础》**突出,强调应用,加强基本概念、基本理论的分析,加强集成电路应用技术的讨论,注意将理论讲授、课堂讨论、自学、作业等教学环节有机结合,以充分调动学生学习的积极性和主动性。书中每节后都有讨论题,每章后有小结和习题。《模拟电子技术基础》可作为高等学校电气信息和电子信息类各专业“模拟电子技术基础”、“线性电子线路”等课程的教材和教学参考书,也可作为有关工程技术人员的参考书。
    文章节选
    1章 半导体二极管及其电路分析
    引言半导体二极管是*简单的半导体器件,它由一个PN结构成,其主要特性是单向导电性。利用二极管可以构成整流电路、限幅电路、门电路、低电压稳压电路等多��应用电路。为了帮助理解半导体器件的工作原理和特性,本章首先介绍半导体的基本知识和PN结的单向导电性;然后**介绍普通二极管的主要特性,并结合实例介绍二极管的基本应用电路及其分析方法;*后,简要介绍几种特殊二极管。
    1.1半导体的基础知识
    导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。在自然界中属于半导体的物质很多,用来制造半导体器件的材料主要有硅(si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等,其中单晶结构的硅是目前*常用的半导体材料。所谓单晶,是指晶格排列完全一致的晶体,而晶体是指由原子、离子或分子按照一定的空间次序排列而形成的具有规则外形的固体。硅和锗半导体都是晶体,因此,半导体管也常称为晶体管。
    1.1.1 本征半导体
    纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。纯净的硅和锗都是四价元素,其原子的*外层轨道上有四个电子(称为价电子),因此可用图1.1.1(a)所示的简化模型表示其原子结构,图中的“+4”代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷,外圈上的4个黑点表示4个价电子。在本征硅(或锗)半导体中,原子形成有序的排列,价电子为相邻的原子所共有,这种结构称为共价键。每个原子都和相邻的4个原子相结合组成4对共价键,如图1.1.1(b)所示。共价键中的价电子将受到共价键的束缚,在**零度且无光照时,价电子不能摆脱共价键的束缚,这时的本征半导体不能导电。
    在室温或光照下,少数价电子能够获得足够的能量摆脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位,如图1.1.1(b)所示,这种现象称为本征激发,这个空位称为空穴。本征激发将成对地产生自由电子和空穴。原子失去价电子后将带正电,可等效地看成是因为有了带正电的空穴。空穴很容易吸引邻近共价键中的价电子去填补。
    目录
    第1章 半导体二极管及其电路分析
    1.1 半导体的基础知识
    1.1.1 本征半导体
    1.1.2 杂质半导体
    1.1.3 PN结及其单向导电性
    讨论题
    1.2 半导体二极管及其特性
    1.2.1 二极管的结构与类型
    1.2.2 二极管的伏安特性
    1.2.3 二极管的主要参数
    讨论题
    1.3 二极管基本应用电路及其分析方法
    1.3.1 二极管的理想模型和恒压降模型
    1.3.2 图解分析法和小信号模型分析法
    讨论题
    1.4 特殊二极管
    1.4.1 稳压二极管
    1.4.2 发光二极管和光电二极管
    1.4.3 变容二极管
    1.4.4 肖特基二极管
    讨论题
    本章小结
    习题
    附录二 极管使用常识

    第2章 半导体三极管及其电路分析
    2.1 双极型半导体三极管
    2.1.1 三极管的结构
    2.1.2 三极管的工作原理
    2.1.3 三极管的伏安特性
    2.1.4 三极管的主要参数
    讨论题
    2.2 三极管基本应用电路及其分析方法
    2.2.1 三极管直流电路的分析
    2.2.2 三极管放大电路及其分析方法
    2.2.3 三极管开关电路
    讨论题
    2.3 单极型半导体三极管及其电路分析
    2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性
    2.3.2 结型场效应管的结构、工作原理及伏安特性
    2.3.3 场效应管的主要参数
    2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法
    讨论题
    本章小结
    习题
    附录三 极管使用常识

    第3章 放大电路基础
    3.1 放大电路的基本知识
    3.1.1 放大电路的组成
    3.1.2 放大电路的主要性能指标
    讨论题
    3.2 三种基本组态放大电路
    3.2.1 共发射极放大电路
    3.2.2 共集电极放大电路
    3.2.3 共基极放大电路
    3.2.4 场效应管放大电路
    讨论题
    3.3 差分放大电路
    3.3.1 差分放大电路的工作原理
    3.3.2 电流源与具有电流源的差分放大电路
    3.3.3 差分放大电路的输入、输出方式
    讨论题
    3.4 互补对称功率放大电路
    3.4.1 放大电路的工作状态
    3.4.2 乙类双电源互补对称功率放大电路
    3.4.3 甲乙类互补对称功率放大电路
    3.4.4 单电源互补对称功率放大电路
    讨论题
    3.5 多级放大电路
    3.5.1 多级放大电路的组成及耦合方式
    3.5.2 多级放大电路性能指标的估算
    3.5.3 集成运算放大器及其基本应用电路
    讨论题
    本章小结
    习题

    第4章 负反馈放大电路
    4.1 负反馈放大电路的组成及基本类型
    4.1.1 反馈放大电路的组成及基本关系式
    4.1.2 负反馈放大电路的基本类型
    4.1.3 负反馈放大电路的分析
    讨论题
    4.2 负反馈对放大电路性能的影响
    4.2.1 提高放大倍数的稳定性
    4.2.2 扩展通频带
    4.2.3 减小非线性失真
    4.2.4 改变输入电阻和输出电阻
    讨论题
    4.3 负反馈放大电路应用中的几个问题
    4.3.1 放大电路引入负反馈的一般原则
    4.3.2 深度负反馈放大电路的特点及性能估算
    4.3.3 负反馈放大电路的稳定性
    讨论题
    本章小结
    习题

    第5章 放大电路的频率响应
    5.1 简单RC低通和高通电路的频率响应
    5.1.1 RC低通电路的频率响应
    5.1.2 RC高通电路的频率响应
    讨论题
    5.2 三极管放大电路的频率响应
    5.2.1 半导体三极管的高频特性
    5.2.2 单管共发射极放大电路的频率响应
    5.2.3 多级放大电路的频率响应
    讨论题
    5.3 负反馈放大电路的自激与频率补偿
    5.3.1 负反馈放大电路的自激振荡条件
    5.3.2 负反馈放大电路稳定性的判断
    5.3.3 集成运算放大器的频率补偿
    5.3.4 集成运算放大器的高频参数
    讨论题
    本章小结
    习题

    第6章 模拟集成放大器的线性应用
    6.1 基本运算电路
    6.1.1 比例运算电路
    6.1.2 加减运算电路
    6.1.3 微分与积分运算电路
    讨论题
    6.2 集成运算放大器构成的交流放大电路
    6.2.1 反相交流放大电路
    6.2.2 同相交流放大电路
    6.2.3 交流电压跟随器与汇集放大电路
    讨论题
    6.3 有源滤波电路
    6.3.1 有源低通滤波电路
    6.3.2 有源高通滤波电路
    6.3.3 有源带通滤波电路
    6.3.4 有源带阻滤波电路
    讨论题
    6.4 电子系统预处理放大电路
    6.4.1 仪用放大器
    ……

    第7章 集成模拟简洁器及其应用
    第8章 信号发生电路电路
    第9章 直流稳压电源

    与描述相符

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