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内容提要
本书系统地讲述了硅集成电路制造的基础工艺,**放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十章,其中**章简单地讲述了硅的晶体结构,第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺,包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,*后一章讲述的是工艺集成。
本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书,也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
本书可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书,也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
目录
前言
**章 硅的晶体结构
1.1 硅晶体结构的特点
1.1.1 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 ���体内部的空隙
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型图
1.2.4 双层密排面
1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 硅中杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
参考文献
第二章 氧化
第三章 扩散
第四章 离子注入
第五章 物理气相淀积
第六章 化学气相淀积
第七章 外延
第八章 光刻与刻蚀工艺
第九章 金属化与多层互连
第十章 工艺集成
附录
缩略语及物理量
**章 硅的晶体结构
1.1 硅晶体结构的特点
1.1.1 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 ���体内部的空隙
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型图
1.2.4 双层密排面
1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 硅中杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
参考文献
第二章 氧化
第三章 扩散
第四章 离子注入
第五章 物理气相淀积
第六章 化学气相淀积
第七章 外延
第八章 光刻与刻蚀工艺
第九章 金属化与多层互连
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附录
缩略语及物理量
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