第二篇 集成电路用硅晶片的制备
第3章 硅晶片的制备
3.3 控制硅片质量的主要特征参数及有关专用技术术语解释
硅片的各项质量特性参数可以说是互相关联的,它是一项综合影响的技术、质量特征指标,它直接反映出硅片的内在和表面加工质量。
通常控制硅片质量的主要特征参数包括表征硅片加工前的内在质量的特性参数和表征硅片加工后的几何尺寸精度的特性参数:例如硅片的结晶学参数、电学参数、机械几何尺寸参数和表面洁净度及表面金属离子沾污、含量等。
3.3.1 表征硅片加工前的内在质量的特性参数
(1)硅片的结晶学参数氧及碳含量、晶向和各种缺陷(位错、氧化诱生堆垛层错、晶体的原生缺陷——COP缺陷等)。虽说各种缺陷主要取决于晶体生长本身的结晶完整性,但有些也是与其加工有关。硅片在不同加工工序过程���,还是可重新引入相关的微缺陷。
(2)硅片的电学参数导电型号、电阻率、电阻率均匀性、寿命等。这些参数在一定条件下,主要取决于晶体生长的质量。硅片加工过程中一般是无法改变它本身的电学参数。
3.3.2 表征硅片加工后的几何尺寸精度的特性参数
硅片表面的机械几何加工尺寸参数和表面状态质量参数等取决于硅片的加工工艺、技术水平。
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