本书介绍了Ⅱ-Ⅵ族低维半导体复合结构中的载流子动力学过程及其光学性质，并对Ⅱ-Ⅵ族低维量子体系中材料的表征、稳态和瞬态光谱测量技术、物理特性和应用方面进行较为系统地介绍。主要内容包括低维半导体的基本性质，低维结构中的光学测量方法，znTe基复合量子阱中的载流子行为和znse基量子阱／量子点复合结构中的激子行为。
本书可供从事低维半导体物理和超快光谱技术研究的科技人员和相关领域的师生参考。

第二章 低维半导体的基本性质及发展概况
半导体低维材料被誉为构成继晶体管和集成电路之后的第三代半导体器件的重要材料。这种基于量子效应的微结构材料将导致新的电子学革命。人们可以根据需要改变晶格周期势场，调节甚至改变材料的能带结构、态密度分布及材料中的电子的波函数分布，是半导体材料研究领域的一项重大突破。在这种低维结构中，电子、空穴、激子等的行为发生特异变化，产生了很多新的物理现象，如分数量子霍耳效应、二维激子等。这也开辟了新的物理研究领域，对发展**率、低功耗和超高速的新一代光电子学及非线性光学元器件具有非常重要的意义。
2.1 低维半导体的概况
1969年，美国IBM公司的江崎(Esaki)和朱兆祥(Tsu)首先提出了超晶格概念。两种或者两种以上不同组分或者不同导电类型**层材料，交替堆叠形成多个周期结构，如果每层的厚度足够薄，以致其厚度小于电子在该材料中的德布罗意波的波长，这种周期变化的**多层结构就叫做超晶格。1973年，张立纲等人实现了这一设想，使用分子束外延技术生长出了**个人造半导体超晶格。从此低维材料制备技术获得���突破性的进展。
……

**章 绪论
参考文献
第二章 低维半导体的基本性质及发展概况
2.1 低维半导体的概况
2.2 低维半导体的电子态
2.2.1 量子阱的电子态
2.2.2 量子线和量子点的电子态
2.3 低维半导体材料的制备和表征
2.3.1 低维半导体材料的制备
2.3.2 半导体低维材料的表征方法
2.4 Ⅱ-Ⅵ族低维半导体材料的应用及研究进展
2.4.1 蓝绿色发光器件及激光器
2.4.2 激子隧穿器件
2.4.3 非线性光学双稳器件
参考文献
第三章 低维结构中的光学测量方法
3.1 稳态光谱测量方法
3.1.1 吸收光谱和激发光谱
3.1.2 发射光谱
3.1.3 喇曼散射谱
3.2 超快光谱技术
3.2.1 超短脉冲激光技术
3.2.2 白光超短脉冲产生
3.2.3 超快光谱测量技术
3.2.4 超快光谱在低维半导体材料中的应用
参考文献
第四章 ZnTe基和znSe基低维复合结构中的载流子动力学过程
4.1 激子隧穿的基本性质
4.1.1 非对称量子阱的电子和空穴隧穿
4.1.2 非对称量子阱的激子隧穿
4.2 CdZnTe/ZnTe/ZnSeTe复合量子阱的载流子行为
4.2.1 znSeTe/znTe多量子阱的能级结构和激子动力学过程
4.2.2 cdznTe/znTe/seznTe复合量子阱的载流子行为
4.3 CdZnSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构的激子隧穿
小结
参考文献
第五章 ZnCdSe/ZnSe/CdSe量子阱/量子点复合结构中的激子复合