半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多���断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 第1部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 硫酸亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 硫酸钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法