译者序
原书序
原书前言
作者简介
第1章 绪论1
1.1 IGBT应用范围2
1.2 基本的IGBT器件结构2
1.3 IGBT发展和商业化历史3
1.4 功率等级的扩展8
1.5 总结10
参考文献11
第2章 IGBT的结构和工作模式13
2.1 对称的D-MOS结构13
2.2 非对称的D-MOS结构14

IGBT器件已被证明是一种非常重要的功率半导体器件，广泛应用于调速电机驱动器（用于空调、制冷和铁路机车）、以汽油为主要燃料的汽车电子点火系统和节能紧凑型荧光灯泡。近期的应用包括等离子显示器（平板电视）和电力传输系统、替代能源系统和储能。《IGBT器件——物理、设计与应用》是首本涵盖IGBT应用的著作，它提供了应用工程师在消费、工业、照明、交通、**和可再生能源等领域使用该器件设计新产品所必需的信息。
本书作者B.Jayant Baliga教授于1980年在通用电气公司工作期间发明了IGBT。本书将为新一代的工程应用开启IGBT之门，是广大电气工程师和设计工程师的**读物，也是半导体专家的重要读物。
《IGBT器件——物理、设计与应用》主要特色如下：
 1）提供了应用工程师在消费、工业、交通、照明、**和可再生能源等领域使用IGBT时所需的必要的设计信息；
 2）介绍了IGBT芯片的设计方法，包括边缘终端、单元拓扑、栅极布局和集成电流传感器；
 3）涵盖了IGBT这样一种由全世界十几家公司制造的、销售额超过50亿美元的器件应用的首本图书；由该器件的***编写。
《IGBT器件——物理、设计与应用》不仅提供了关于IGBT工作原理和设计的全面描述，而且提供了它横跨各个经济领域的实际应用，并量化其社会影响。所有功率半导体和电力电子工程师们应该会对这本书感兴趣。此外，那些关注技术对社会影响的社会科学家��也会对它感兴趣。