本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观和大致了解；接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；然后**论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计，并分别详细论述了电子光学系统，电子束泵浦系统，半导体有源层等多个分系统。每个分系统设计都包括基本原理、系统约束、关键技术及其分系统间优化设计与性能平衡，*后简要介绍三个典型的应用系统。

●章 绪论 11.1 光电子器件的主要分类... 11.2 瞬态光电子器件特点... 21.2.1 半导体器件瞬态特性... 21.2.2 电真空器件的瞬态特性... 41.3 瞬态电真空半导体光电子器件主要应用领域及研究意义... 51.4瞬态电真空半导体光电子器件发展历史、现状与趋势... 81.4.1 瞬态电真空半导体光电子器件发展历史... 81.4.2瞬态电真空半导体光电子器件国外发展现状... 91.4.3 瞬态电真空半导体光电子器件国内发展现状... 181.4.4 瞬态电真空半导体光电子器件发展趋势...第二章 宽禁带半导体电光器件激射 202.1 合金材料与半导体紫外光发射器件... 202.1.1半导体紫外光发射器件的研究现状与进展... 222.1.2 ZnO基光发射器件的研究进展.... 252.1.3常用制备方法及表征手段.... 282.2 MgZnO合金薄膜及物性... 312.2.1 MgZnO合金靶材的制备与MgZnO薄膜的生长.... 352.2.2生长条件和靶材组分对MgZnO薄膜性质的影响.... 392.3 p-n异质结紫外光发射器件... 442.3.1 p-GaNn-ZnO异质结器件电致发光.... 472.3.2 p-GaNn-MgxZn1-xO异质结器件电致发光.... 492.4 MIS结紫外光发射器件的制备与性质... 562.4.1 MgZnO合金薄膜基MIS结紫外波长调节方法.... 592.4.2波长可调的MgZnO合金薄膜基MIS结紫外光发射器件... 622.4.3 MgZnO薄膜的波长可调的紫外电致发光和随机激光... 682.4.4柔性锌箔衬底的ZnO薄膜基MIS结紫外光发射器件... 第三章 电真空光电倍增器件与复合探测原理 753.1 电真空光电倍增器件分类与原理... 753.1.1 光电倍增管分类与特点.... 783.1.2 微通道板工作原理... 873.1.3 微通道单光子探测系统... 883.2 微通道空间波导阳极复合探测系统... 893.2.1 空间波导阳极复合探测原理... 963.2.2空间波导阳极电子光学模型... 1003.2.3空间波导阳极复合探测器制备与验证... 1023.3微通道空间复合波导栅型复合探测系统... 1033.3.1空间复合波导栅型复合探测原理... 1053.3.2空间复合波导栅型电子光学模型... 1093.3.3空间波导栅型复合探测器制备与验证... 第四章 瞬态电真空半导体光电子器件 1204.1 半导体电注入泵浦源约束情况... 1204.2 微通道板自饱和特性... 1254.3电子束功率增益带宽积... 1294.4 瞬态电子束调制泵浦源... 1324.5 低阈值、**率的半导体结构... 1374.6 纳米线阵列的水热合成与物性研究... 1394.7 纳米线基MIS结器件及薄膜对比器件的制备... 1444.8纳米线基MIS结器件的光学和电学输运性质... 1514.9纳米线基MIS结器件的电泵浦受激发射和机制讨论... 1554.10 纳米线基MIS结器件与薄膜对比器件的性能比较... 1584.11瞬态电真空半导体光电子器件... 第五章 瞬态电真空半导体光电子器件在空间光电系统中的典型应用第六章 瞬态电真空半导体光电子器件在激光侦察系统中的典型应用第七章 瞬态电真空半导体光电子器件在空间光调制系统中的典型应用参考文献... 附录 英文缩写...